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被控竊取美光機密 聯電反擊:極端不實
2018-11-09 23:19 中央社記者張建中新竹2018年11月9日電
聯電(2303)遭美國司法部起訴指控與中國福建晉華公司共謀竊取美光商業機密,聯電發布聲明表示,外界認為聯電沒有任何DRAM知識或經驗,不是事實,且是極端的不實。

聯電今天晚間發布聲明指出,聯電是台灣起家的半導體公司。38年來,在全球的供應鏈上,已經成為不可或缺的一員,先進量產技術達14奈米。

對比之下,美光(Micron)爭執所涉及的動態隨機存取記憶體(DRAM)技術,是32奈米,在聯電的計畫啟動當時,已經是落後幾個世代的技術。

聯電表示,社會上有一個錯誤的印象,認為聯電沒有任何DRAM的知識或經驗,這不是事實,而且是極端的不實。

從1996年到2010年,聯電積累了近15年製造DRAM產品的經驗。甚至在某個時間點上,聯電內部DRAM團隊人數,超過150人。

聯電指出,藉由堅實而穩定的團隊,掌握並保存了豐富的DRAM知識和經驗;現任共同總經理之一的簡山傑,便是1996年時開發DRAM產品的RAM製程開發經理。

聯電表示,另一個實例則是,Alliance是1996年第一個獲得聯電授權合作DRAM夥伴之一,是一家總部位於美國的DRAM晶片設計公司,藉由聯電的技術進行DRAM製造。

聯電又表示,除傳統的DRAM技術外,2009年聯電更成功開發了屬於自己的嵌入式DRAM製程技術,這比製造標準型DRAM的過程要複雜得多。

聯電指出,同意與福建晉華聯合開發DRAM製程,這是一個與聯電晶圓專工服務完全分開的單獨項目,在做成決策當時,只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易,已經向台灣政府正式提出申請,主管機關也已於2016年4月核准整個項目。值得一提的是,那時還未聽說有中美貿易戰。

自從開始為晉華開發DRAM製程技術,履行合約義務,聯電已經花費新台幣數億元。儘管這個專案的研發團隊成員接近300人,但只有不到10%的人曾在美光工作過。

聯電表示,其DRAM技術基礎裡的元件設計,是完全不同於美光的設計。另一個錯誤的印象是美光在美國開發了25奈米的DRAM技術,事實是,美光在2010年初,購買台灣的瑞晶和日本的爾必達的25奈米DRAM技術。

聯電強調,不要「在報刊上」進行這場訴訟,但聯電要向客戶和投資人保證,對於任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責,聯電將會全力並積極地自我防衛。
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